中韩HBM内存差距缩至3年：长鑫追平三星与SK海力士的竞争优势

6月4日消息，据报道，中国存储芯片制造商长鑫存储已在HBM3技术方面追平三星和SK海力士，中韩两国在HBM领域的差距由此前的多代缩小至仅3年。

行业消息人士透露，长鑫在技术上已具备HBM3量产能力，虽然良率仍是制约因素，但技术层面已不存在代差。

HBM3是当前AI GPU广泛采用的第三代高带宽内存，NVIDIA H100即搭载该规格，为符合美国出口管制要求，NVIDIA专为中国市场打造的H20 GPU即配备了96GB HBM3，比H100的80GB还多。

报道称，长鑫预计到2026年底将具备月产30万片12英寸晶圆的HBM产能规模，与此同时，长鑫已获得IPO批准，计划募资295亿元用于技术升级等。

不过三星和SK海力士仍有领先优势，当前最新AI芯片已采用HBM3e，今年底厂商将开始签订HBM4合同。

HBM4是一次重大代际跨越，数据传输量相比HBM3接近翻倍，此外，AI GPU制造还依赖台积电的先进封装等复杂工艺，这些环节中国同样面临瓶颈。

此外全球内存短缺也为国产厂商创造了窗口期，AI芯片对HBM的旺盛需求使三星和SK海力士产能全数售罄，长鑫趁机抢占市场份额，在缺货潮中加速技术迭代和产能爬坡。