AMD推出封装黑科技：单芯片内置32GB高速内存，无需再画高速内存走线

6月30日消息，AMD今日发布了<strong>Versal Premium Gen 2 Memory on Package（MoP）</strong>自适应SoC。

将高达32GB的LPDDR5X内存直接集成到单颗芯片封装内，提供最高288GB/s的带宽，同时相比传统板载内存方案，减少高达60%的电路板面积。

标准版Versal Premium Gen 2已开始出货，MoP版本将于2026年底提供样片，2027年下半年启动量产出货。

MoP架构将LPDDR5X内存通过有机基板封装工艺直接集成，互连间距仅0.4毫米，走线距离极短。传统方案需要工程师在电路板上进行高速内存布线，耗费大量时间进行仿真和验证。

MoP采用预验证的片内LPDDR5X接口，直接省去这一环节，大幅缩短开发周期、降低设计风险。

与HBM方案相比，MoP的核心优势在于长生命周期支持。HBM锚定数据中心场景，无法提供10至15年的长期供货支持，也无法通过零下40摄氏度的低温工业级认证。

Versal Premium Gen 2 MoP支持零下40至零上110摄氏度的工业级运行温度，并提供超过15年的生命周期支持，特别适合航空航天、国防、工业控制等需要长期稳定部署的关键任务场景。

接口方面，MoP器件集成CXL 3.1和PCIe 6.0硬核IP，传输速度高达64Gb/s，与AMD EPYC CPU搭配时可实现高速数据搬运。

LPDDR5X支持最高9000Mb/s速率，并可通过CXL内存池化与扩展模块灵活扩展内存资源。

首批受益的应用场景包括测试测量设备、专业视频编辑系统，以及用于安全通信和国防加速的VPX系统。

MoP架构还打开了EDSFF和3U VPX等紧凑形态系统的设计空间，这些场景此前因外部内存的尺寸限制难以实现。