英特尔重返DRAM市场：ZAM与XBM双线夹击HBM，成本降低60%

7月13日消息，英特尔正以两种全新存储器架构对HBM发起夹击。

早在今年2月，英特尔宣布与软银子公司SAIMEMORY合作开发ZAM（Z-Angle Memory）技术。项目于2026年Q1启动运营，预计2027年推出原型产品，2030年实现商业化。

ZAM采用斜向互连拓扑结构，摒弃传统垂直硅通孔设计。这一设计旨在改善散热、降低功耗。

官方宣称功耗较HBM降低40%至50%，单芯片容量最高达512GB，是现有HBM的2至3倍，量产成本仅为HBM的60%。

ZAM采用9层堆叠设计，包含8层DRAM，每两层间仅由3微米厚硅基板隔开。

英特尔同时在推进XBM（Cross-Batch Memory）架构。XBM采用后端晶体管DRAM堆叠设计，通过UCIe互连输出数据，速率最高32GT/s。

该设计旨在取消HBM所需的硅中介层，降低先进封装成本，可保持与HBM4相近封装尺寸的同时提升可扩展性。

ZAM与XBM技术基础可追溯至美国能源部支持的先进内存研发项目，英特尔曾深度参与。英特尔还推动了下一代DRAM键合计划。

ZAM面临生态壁垒与兼容性等挑战。HBM在生态系统、标准化以及与GPU/AI加速器设计的整合方面拥有巨大领先优势。

从原型到可规模量产之间，封装、良率和成本问题仍是关键考验。英特尔此番双线出击，能否撼动HBM主导地位，尚需时间验证。