内存新产能十年无望：三大巨头扩产背后的空洞现实

7月14日消息，据美国银行最新分析报告，韩国总统李在明高调宣布的2030年产能翻倍目标面临着严峻的现实考验。

6月底，李在明宣布了一项规模高达800兆韩元的大型投资计划，要在韩国西南沿海的光州、全罗地带打造“存储新聚落”，目标是在2030年让三星与SK海力士的DRAM晶圆产能翻倍。

三星与SK海力士合计掌握全球过半DRAM市占率，在HBM领域更超过八成，美光7月初也宣布斥资93亿美元在日本扩产HBM，预计两年后出货。

消息一出，市场担忧供过于求导致价格崩跌，全球存储类股应声暴跌，美光单周下跌15%，铠侠跌去一成，闪迪市值蒸发近两成。

然而美国银行在最新报告中指出，要评估韩国存储芯片供给能否实质增加仍为时过早，2030年产能翻倍听起来惊人，但拉长时间轴来看仅代表每年约15%的年复合增长率。

扣除旧厂因技术升级关闭以及制程微缩导致的产能减损后，实际运转的晶圆产能扩张率每年将低于10%，到2030年的增长远不及翻倍水平。

供应链更传出，SK海力士2028年实际新增的产能可能只有最初规划的六分之一。

另一方面还有物理限制，一位中国台湾存储芯片业者指出，光州和全罗目前的产业结构是石化与钢铁园区，基础设施从零开始布建，光打底就要五年左右，后续洁净室和机台安装还需三到四年，整个制造生态链建起来恐怕超过十年。

有资深产业分析师直言，该计划在李在明任期届满前难以完成，目前宣示意义大于实质。