SK海力士扩产计划落空，2028年DRAM产能仅达六分之一，低价持续三年

7月15日消息，美国银行近日发布的全球存储周报显示，SK海力士至2028年实际可新增的存储芯片产能，仅为最初规划水平的六分之一。

美银估算，扣除旧厂因技术升级关闭及制程微缩导致的产能减损后，韩国每年实际净增的运营存储晶圆产能不足10%，到2030年将远不及韩国总统李在明此前高喊的产能翻倍目标。

据存储芯片行业知情人士透露，仅完成光州和全罗厂区的地基建设就需要约五年时间，此后还需三到四年用于洁净室搭建及芯片制造设备安装。完整建立两处厂区的制造生态系统预计耗时超过十年。

这意味着任何新产能的大规模释放在2028年之前都难以实现。

6月25日，三星、SK海力士与美光在加州联邦法院遭遇集体诉讼，被指控利用全球DRAM市场寡头地位协同压缩传统DRAM产能，致使相关价格在过去四年内暴涨约700%。

原告方将苹果对iPad和Mac的全面提价援引为直接损害案例，并指出三家企业曾于2000年代就价格操纵认罪、合计缴纳7.31亿美元罚款。

产能严重滞后正让三大巨头在法理上变得更加被动。既然SK海力士连原计划六分之一的新增产能都难以兑现，那么所谓产能扩张即将到来的辩护便不攻自破。

投资机构Jefferies预计，DRAM价格实质性放缓最早要到2028年。