三星新技术提升TLC闪存寿命43%，SSD硬盘写入不再担忧

7月16日消息，SSD硬盘使用的NAND闪存存在寿命问题，尤其是在TLC、QLC大行其道之后，三星最新公布了一项新技术，有望将TLC寿命大幅提升43%。

NAND闪存的基本原理决定了它存在写入寿命，反应在指标上就是写入数据的过程中要擦除，用对存储单元进行加压，这里面就涉及2个因素——电压大小、脉冲时间，也就是擦除用的电压及擦除时间才会决定闪存的寿命。

常规的操作大约是20V电压、3.5ms一次的脉冲来擦除闪存，三星的新技术就是对脉冲时间做优化，在3.5ms一次的脉冲时间之外，再减少一些脉冲时间，有2.5ms甚至1.5ms。

说简单形象一点就是，闪存就像是一座有固定值的矿石，采矿的力度和时间决定能挖多少时间，三星是优化了每次挖矿的时间，这就能显著提升矿产的可用时间，这一点改进就让3D TLC闪存的寿命提升了43%。

以后如果进一步优化，SSD寿命翻倍甚至几倍提升都不是不可能的，这方面可改进的空间还是挺大的。

当然，对普通消费者来说，其实1TB容量之后大家就没必要担心SSD写死的问题了，哪怕是TLC甚至QLC闪存几百次的擦写寿命也足够用了，主控可能比闪存本身更早出问题。

三星这个技术提升寿命对AI行业来说更有意义，大模型需要存储的数据量比之前的业务大多了，频繁操作显然对SSD寿命要求很高，三星这个技术能显著延长SSD的使用寿命，不用那么快就淘汰了，变相降低了成本。