美国对华存储禁令：低温刻蚀条目悄然删除 长鑫表示影响有限

8月12日消息，据报道，近日，美国《硬件技术管制多边协调法案》（MATCH Act）在修订过程中，已悄然删除一项针对中国市场的低温刻蚀设备全国性禁令。

该设备由美国泛林半导体与日本东京电子主导供应，是3D NAND闪存和先进DRAM制造的关键工序。此举被外界解读为设备巨头游说下的妥协。

对于这一变化，长鑫存储等中国半导体企业表现淡定。中国企业正在淡化美国出口管制的实际冲击。这种底气来自实打实的市场数据。

据Omdia统计，长鑫存储全球DRAM市场份额已从2025年四季度的4.7%跃升至2026年一季度的7.6%，跃居全球第四。营收也创下新高，2025财年收入达86亿美元。

苹果的动向则是另一个风向标。公开资料显示，苹果正在iPhone和MacBook等多条产品线中测试长鑫存储的DRAM芯片。

然而，苹果曾试图压低采购价格，但是遭到长鑫存储的断然拒绝。长鑫存储坚持报价不低于三星电子和SK海力士，原因是华为、小米等本土企业已通过长期合同锁定了其产能。

在NAND闪存领域，长江存储同样在制裁中稳步前进。其232层3D NAND芯片已实现稳定量产，部分产品在性能参数上已追平国际头部企业。