英特尔CEO警告：内存短缺加剧，电力与冷却技术成关键瓶颈

9月16日消息，英特尔首席执行官陈立武表示，内存短缺问题将会进一步加剧。他还补充称，电力供给保障与冷却技术研发，将成为半导体市场的核心难题。

“去年早些时候我就提出，内存可能会成为一大瓶颈，当时并没有多少人意识到这一点，”陈立武说，“如今这一情况已然成真，而且形势还会继续恶化。”

陈立武表示：“内存产能极为有限。不少项目因为拿不到充足的内存而延期，内存价格已经上涨5至7倍。打造中低端手机、笔记本电脑时，想要拿到内存供货十分困难。”

随着GPU等AI处理器在算力提升上遭遇瓶颈，被称为AI内存的高带宽内存（HBM）重要性持续上升。HBM需求激增，但三星电子、SK海力士和美光的产能供给跟不上需求，短缺问题不断加剧。由于产线转向HBM生产，通用内存也出现供应缺口。

电力与冷却同样是棘手难题。“所有人都清楚电力问题的严峻性。电力至关重要，就像当年核工程师与科学家想方设法获取能源一样，”陈立武称，“想要在部分应用场景下实现低功耗，芯片架构设计与互联技术也变得非常关键。”

陈立武继续说道：“另一个重点方向是冷却技术。除风冷外，还有液冷与微流体冷却方案，我们正在对多项相关技术进行投资。”

陈立武建议业界关注半导体市场向系统级架构转型的趋势。他指的是英伟达、AMD将GPU、CPU、网络组件与软件整合到整机机架对外销售的行业潮流。

陈立武表示，英特尔将继续维持与英伟达的合作关系。英伟达是英特尔的主要股东，同时也是AI芯片赛道上的竞争对手。

当被问及英特尔在哪些领域选择合作、哪些领域自主竞争时，他说：“企业不可能包揽所有业务，关键是筛选并聚焦自身真正擅长的赛道，同时与其他具备优势的企业建立伙伴关系、协同发展。”